키사이트, 글래스고 대학교, NPL, MPI, 서브 테라헤르츠 소자의 광대역 특성화를 위한 공동 개발 추진
🔗2026-10-19
- 키사이트 테크놀로지스, 글래스고 대학교, 영국 국립물리학소(NPL), 대만의 MPI 코퍼레이션이 차세대 서브 테라헤르츠(sub-THz) 반도체 소자의 광대역 특성화를 위한 새로운 접근 방식을 공동 개발함.
- 이들 기관은 단 한 번의 스윕(single sweep)으로 인듐 인화물 고전자 이동도 트랜지스터(InP HEMT)의 근직류(near-DC)부터 250GHz까지의 연속적인 온웨이퍼(on-wafer) 특성화를 시연함.
- 이번 협력은 키사이트의 계측 장비, 글래스고 대학교의 소자, MPI의 온웨이퍼 프로빙 기술, NPL의 계측 전문성을 결합하여 복잡한 측정 설정을 간소화하고 일관된 데이터를 제공함.
AI 분석:
- **수치와 사건 간의 인과관계:** 기존 밀리미터파 및 서브 테라헤르츠 대역 측정은 다수의 측정 설정과 캘리브레이션을 요구하여 복잡성이 가중되었으나, 4개 기관의 기술 결합을 통해 '단 한 번의 프로브 접촉(single probe touchdown)'과 '근직류~250GHz 단일 스윕'이라는 수치적 성능을 달성함으로써 측정 공정의 복잡성을 대폭 제거하고 데이터의 일관성을 확보함.
- **반도체 시장에 미치는 긍정적 영향:** 향후 6G 및 차세대 고주파 통신 기술의 핵심인 서브 테라헤르츠 반도체 연구개발(R&D) 주기를 단축시키고, 신뢰성 높은 광대역 S-파라미터 모델링 데이터를 제공함으로써 첨단 반도체 소자 상용화를 가속화하는 긍정적인 요인으로 작용할 것임.
- **향후 전망:** 과거의 파편화된 측정 방식과 달리, 계측·소자·프로빙·측정 표준화(Metrology) 기술의 수직적 통합을 통해 향후 고주파 반도체 장비 및 테스트·계측 시장에서 표준화된 솔루션 수요가 증가할 것으로 전망됨.
- 이들 기관은 단 한 번의 스윕(single sweep)으로 인듐 인화물 고전자 이동도 트랜지스터(InP HEMT)의 근직류(near-DC)부터 250GHz까지의 연속적인 온웨이퍼(on-wafer) 특성화를 시연함.
- 이번 협력은 키사이트의 계측 장비, 글래스고 대학교의 소자, MPI의 온웨이퍼 프로빙 기술, NPL의 계측 전문성을 결합하여 복잡한 측정 설정을 간소화하고 일관된 데이터를 제공함.
AI 분석:
- **수치와 사건 간의 인과관계:** 기존 밀리미터파 및 서브 테라헤르츠 대역 측정은 다수의 측정 설정과 캘리브레이션을 요구하여 복잡성이 가중되었으나, 4개 기관의 기술 결합을 통해 '단 한 번의 프로브 접촉(single probe touchdown)'과 '근직류~250GHz 단일 스윕'이라는 수치적 성능을 달성함으로써 측정 공정의 복잡성을 대폭 제거하고 데이터의 일관성을 확보함.
- **반도체 시장에 미치는 긍정적 영향:** 향후 6G 및 차세대 고주파 통신 기술의 핵심인 서브 테라헤르츠 반도체 연구개발(R&D) 주기를 단축시키고, 신뢰성 높은 광대역 S-파라미터 모델링 데이터를 제공함으로써 첨단 반도체 소자 상용화를 가속화하는 긍정적인 요인으로 작용할 것임.
- **향후 전망:** 과거의 파편화된 측정 방식과 달리, 계측·소자·프로빙·측정 표준화(Metrology) 기술의 수직적 통합을 통해 향후 고주파 반도체 장비 및 테스트·계측 시장에서 표준화된 솔루션 수요가 증가할 것으로 전망됨.
더 자세한 원문 리포트는 아래 링크에서 확인하실 수 있습니다.
https://www.semiconductor-today.com/news_items/2026/oct/keysight-191026.shtml
https://www.semiconductor-today.com/news_items/2026/oct/keysight-191026.shtml